等離子體增強化學氣相沉積系統哪些部分組成(PECVD)？很多老師不了解PECVD的組成，下面卓聚科技小編為大家介紹一下。

等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD），生長樣品腔的管徑60-120mm，它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統、機械泵、真空密封及測量系統、尾氣處理系統組成，極限真空度可達 10^-5 torr 。

等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）（點擊了解參數）

等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)主要特點：

1，優勢在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過渡金屬二維半導體材料的生長與原位摻雜，以及多元二維材料的生長）

2，可選配遠程等離子射頻發生系統，可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長，缺陷調控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）

3，生長工藝設計先進，能滿足襯底無催化生長

以上就是卓聚科技小編介紹的等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)有哪些部分組成，如果您想要了解更多，歡迎您咨詢我們